三星故计重施，砸12亿重金买断EUV机台！

近日，全球各大半导体厂抢进先进制程，纷砸大钱向独家供应商艾司摩尔（ASML），订购要价1.5亿美元（折合人民币约10亿元）起跳的极紫外光微影设备（EUV）。据了解，ASML今年规划生产的12台EUV机台中，三星拟订下10台，外界推测三星此举除考量ASML生产不顺外，也趁机阻碍台积电等其他竞争对手的量产进度。详情一起来了解。

三星力拼7纳米制程 随着半导体制程愈来愈先进，使得10纳米以下先进制程，必须导入波长只有13.5纳米的极紫外光（EUV），才能降低晶圆制造的光罩数，缩短晶片制程流程。

虽然目前ASML开发的EUV机台造价相当昂贵，但三星已率先在7纳米导入EUV，未来2年包括英特尔（Intel）、台积电、格罗方德（GF）等也都计划采用。

由于先前曾传出光学镜头生产商蔡司（Carl Zeiss）供应不足，导致ASML的EUV机台生产不顺。而如果最后三星真的将该关键设备垄断，将阻碍其他竞争对手台积电的开发先进制程的进度，而这对于三星拓展晶圆代工业务相当有利。

EUV带来技术性突破 极紫外光刻（Extreme Ultraviolet Lithography）又被称作EUV光刻，它以波长为10——14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术。具体为采用波长为13.4纳米的软X射线。极紫外线就是指需要通过通电激发紫外线管的K极然后放射出紫外线。

据悉，EUV光刻采用波长为10-14纳米的极紫外光作为光源，可使曝光波长一下子降到13.5纳米，它能够把光刻技术扩展到32纳米以下的特征尺寸。

目前，光刻技术已成为现代集成电路设计上最大的瓶颈。以往CPU使用的45纳米、32纳米工艺都是由193纳米液浸式光刻系统来实现的，但是因受到波长的影响还在这个技术上有所突破是十分困难的，而采用 EUV光刻技术就会很好的解决此问题，也会为该领域带来一次飞跃。

EUV或成芯片企业致胜关键 事实上，三星先前在OLED的市场争夺战中就用过相同手段，并因此尝到甜头。三星当时也是从独家供应商日本Canon Tokki手中，将生产的7台OLED蒸镀机买下其中5台，让竞争对手LG Display及中国大陆的京东方分别只抢到1台，发展追不上三星。

而台积电作为全球最大的半导体代工企业也有它的优势，由于它一直居于领先地位，获取了丰厚的利润，这为它持续研发先进工艺提供了资金支持，近两年在三星的逼迫下它正在不断提升研发投入。

事实上，在7纳米工艺上的竞争，可能会引发全球两大芯片企业高通和苹果订单的变动，业界传出消息指高通很可能将其明年的高端芯片骁龙845交给台积电，而三星则可能夺得苹果A12处理器的订单。